75389

دكتري

فيزيك.نظري

شيراز

1402

1402/06/28

18/7

قرائتي ، عبداالرسول

فروزاني ، قاسم

65-70ص

71ص

Waveguide Waveguide Point Defect Line Defect

شيراز

بلورهاي فوتوني از ساختارهايي تناوبي تشكيل شده¬اند كه در جهات مختلف ضريب شكست دي-الكتريك متفاوت بوده و بسته با اينكه تفاوت در چه جهاتي باشد بلورهاي يك¬بعدي، دو¬بعدي و سه-بعدي تشكيل مي¬گردد. با تابش امواج الكترومغناطيس به يك بلور فوتوني مشاهده مي¬شود كه برخي از طول موج¬ها امكان عبور از ساختار را ندارند و بلور نسبت به اين بازه طول موجي مانند آينه عمل مي¬كند، به محدوده ايجاد شده گاف فوتوني مي¬گويند. طول موجهاي گاف فوتوني بسته به ضريب شكست ماده مورد استفاده مي¬تواند متفاوت باشد، كه معمولا به صورت يك بازه طول موجي پيوسته هستند، در همين محدوده گاف نيز در برخي موارد نظير قرار دادن يك لايه متفاوت با ساير لايه¬ها، تغيير دما، زاويه تابش، تغيير ضخامت لايه¬ها و ... طول موجي خاص شرايط عبور را پيدا كرده و از بلور خارج مي¬شود كه به آن مود نقص مي¬گويند و معمولا با بيشترين ضريب عبور كه يك است، عبور مي¬كند، در صورتي كه از يك ماده دي¬الكتريك غيرخطي به عنوان لايه نقص استفاده شود علاوه بر مشاهده مود نقص، دوپايداري يا چندپايداري نيز مشاهده مي¬شود كه كاربرد بلورهاي فوتوني را در زمينه طراحي و ساخت موادي از قبيل جداكننده¬ها، سوييچ¬هاي نوري، گيت¬هاي منطقي و ... بالا مي¬برد. در اين كار از نيم¬رساناي ژرمانيوم به عنوان ماده نقص استفاده شده كه محيطي غيرخطي است و ضريب شكست آن با تغيير شدت نور، تغيير مي¬يابد، علاوه بر آن مي¬توان با آلايش آن، نيم-رساناي آلاييده نوع n ساخت كه در اين صورت ضريب شكست آن به چگالي آلايش نيز وابسته است. در بلور فوتوني مورد مطالعه كه شامل سيليكون و سلنيد روي(به عنوان سلول فوتوني) و ژرمانيوم(به عنوان لايه نقص) است، طيف خروجي، مودهاي نقص، دوپايداري و ... مشاهده شده و اثرات دما، شدت نورفرودي، زاويه تابش فرودي و چگالي آلايش مورد بررسي قرار گرفته است. با در نظر گرفتن ساختار متقارن براي بلور مي¬توان از مرتبه دوم ضريب غيرخطي چشم¬پوشي كرد و مرتبه سوم آن را به كار گرفت. روش به كار گرفته شده در اين رساله جهت مشاهده و بررسي طيف خروجي، نوارگاف، مود نقص، دوپايداري و ... روش ماتريس انتقال است.

فصل اول آشنايي با بلورهاي فوتوني فصل دوم آشنايي با نيم¬رساناها فصل سوم محاسبه نوار گاف به روش ماتريس انتقال فصل چهارم بلور فوتوني يك بعدي با لايه نقص نيم¬رسانا غيرخطي فصل پنجم نتيجه¬گيري و پيشنهادات

1403/04/14

75434