پ142

investigation of band structure properties for InGaN nano layers with ab-initio methods

كارشناسي ارشد

فيزيك

دانشگاه پيام نور مركز پرند

90-91

91/06/27

146ص

سيد علي هاشمي‌زاده عقدا

اشرف السّادات شكرباغاني

نيمه رساناها در قطعات الكترونيكي كاربردهاي بسياري دارند، در اين ميان InGaN به عنوان يكي از نيمه رساناهاي با اهميت شناخته مي‌شود. اين اهميت به دليل وجود گاف نواري گسترده‌ي اين تركيب است كه با تغيير در غلظت In از طيف مادون قرمز تا طيف سبز و آبي را شامل مي‌شود. به همين دليل در اين كار در چارچوب نظريه تابعي چگالي و روش پتانسيل كامل امواج تخت تقويت شده خطي به بررسي ويژگي‌هاي الكتروني سه تركيب InN، 〖In〗_0ر5 〖Ga〗_0ر5 N و GaNدر ساختار وورتسايت پرداخته‌ايم. براي دستيابي به اين هدف در محاسبه انرژي تبادلي- هم‌بستگي از دو تقريب PBEsol و WC استفاده شده و تمامي محاسبات با استفاده از كدهاي محاسباتي Wien2k صورت گرفته اند. در اين كار علاوه بر بررسي ويژگي‌هاي الكتروني به بررسي تفاوت‌هاي دو تقريب PBEsol و WC براي دستيابي به اين ويژگي‌هاي الكتروني پرداخته ايم.

60103