پ110

A study of absorbing and discharging quantum wells comprised of InGan Nano layers for application in light Diods

كارشناسي ارشد

فيزيك

دانشگاه پيام نور واحد پرند

91-92

92/04/15

129ص

هاشمي زاده عقداء، سيدعلي

طيف‌هاي جذبي و تابشي، چاه‌هاي كوانتومي، نانو لايه‌هاي InGaN ، ديودهاي نوري

دانشگاه پيام نور واحد پرند

نيمرساناي نيتروژن دار مانند:InGaN/GaN تركيبي از عناصر گروه سوم جدول تناوبي با عنصر نيتروژن مي‌باشد كه داراي ساختارهاي بلوري ورتسايس (WZ) و زينگ بلند (ZB) بوده كه ساختار ورتسايس از نظر ترموديناميكي پايدارتر است، درحاليكه ساختار مكعبي آن در فشار بالا قابل دستيابي مي‌باشد.آلياژهاي سه‌تايي و چهارتايي اين نيمرساناها كه از تركيب دوتايي تهيه مي‌شوند داراي ويژگي‌هاي منحصر به فردي هستند كه كاربردهاي گسترده‌اي را در قطعات الكترونيكي و اپتوالكترونيكي دارند.اين پروژه به روش نظري و جمع‌آوري اطلاعات ازطريق مقاله‌هاي موجود در اين زمينه مطالعه گرديده است. در اين پروژه حالت‌هاي تحرك‌پذيري، مقاومت، ثابت شبكه و گاف نواري آلياژ مذكور بررسي گرديده است. دريافتيم كه نيمرساناي InGaN/GaN به دليل مناسب بودن باند گاف مستقيم مورد توجه خاص است. اين خاصيت با تغيير مقداراينديم در آلياژ آن تنظيم مي‌گردد. اين آلياژ منشأ توليد نورهاي مختلف درLED هاي آبي و سبز است. ظرفيت گرمايي آن بالا است؛ درحاليكه در آن حساسيت تشعشع يونيزاسيون پايين است. در تمام دماها با افزايش مقدار In، ابتدا طيف PLچاه كوانتومي به سمت انرژي بالاتر (جابجايي آبي) انتقال مي‌يابد، كه ناشي از استتار ميدان‌هاي پيزوالكتريك داخلي به علت افزايش الكترون‌ها در چاه كوانتومي مي‌باشد، و با ادامه افزايش ميزان آلايش قله طيف PL به سمت انرژي پايين (جابجايي قرمز)متمايل مي‌گردد. همچنين دريافتيم كه در آلياژهاي نيتروژن‌دار، باز تركيب تابشي غالب از نوع اكسيتون‌هاي جايگزيده است. و همانطور كه مي‌دانيم اكسيتون همان برهم كنش جفت الكترون ـ حفره مقيد مي‌باشد. پارامترهايي نظير ضخامت، دما، آلايش بر شدت فوتولومينسانس و جذب تأثير دارد و در نهايت كيفيت نوري چاه كوانتومي را با پهناي طيف تابشي مورد تحليل قرار داديم.

60014