پ95

كارشناسي ارشد

فيزيك

دانشگاه پيام نور مركز پرند

93-94

بهمن93

86ص

هاشمي زاده عقدا، سيدعلي

خواص اپتيكي ، خواص ساختاري ، خواص الكتروني ، نظريه تابعي چگالي ، ساختار نواري ، گاف نواري ، روش امواج تخت بهساخته خطي با پتانسيل كامل ، آلومينيوم اينديم گاليم نيتريد

دانشگاه پيام نور مركز پرند

امروزه نظريه تابعي چگالي و دسته معادلات تك ذره كان-شم كه بر پايه اين نظريه استخراج شدهاند، به عنوان يك روش اساسي جهت محاسبات ساختار الكتروني جامدات مطرح است؛ اما تاكنون فرمولبندي جامعي براي تابعي انرژي تبادلي-همبستگي كه در اين دسته معادلات وجود دارد، ارائه نشده است. مهمترين تقريبهايي كه در محاسبه اين عبارت استفاده ميشود، تقريب چگالي موضعي LSDA و شكل تكميلشده آن يعني تقريب شيب تعميميافته GGA است كه در طيف وسيعي از مسايل جوابهاي قابلقبول و منطبق با نتايج تجربي ارائه دادهاند. ما در اين پاياننامه خواص ساختاري، الكتروني و اپتيكي تركيبات AlInGaN را با استفاده از نظريه تابعي چگالي به وسيله كد WIEN2k محاسبه و بررسي كرديم، سپس نتايج به دست آمده با نتايج تجربي مقايسه شد. خواص ساختاري اين تركيب ها را با به دست آوردن منحني انرژي بر حسب حجم و محاسبه ثابت شبكه بررسي كرديم. براي بررسي خواص الكتروني منحني چگالي حالتها و ساختار نواري را رسم كردهايم و با نمودارهاي طيف نمايي تجربي مقايسه شد. همچنين توانستيم گاف نواري اين اكسيدها را با استفاده از روش GGA با توافق نسبتاً خوبي با تجربه به دست آوريم. در نهايت نيز خواص اپتيكي اين تركيبات بررسي شد كه نتايج به دست آمده از ساختار الكتروني و نواري را تأييد كرد. اين نتايج مي تواند راهنماي مناسبي براي مهندسي ساختار نواري براي حالتي باشد كه اين آلياژها را براي كاربرد هاي اپتوالكترونيك به كار مي برند. همچنين ما متوجه شديم كه VBM اين آلياژها از GaN در گاف نوار ثابت بالاتر است. بنابراين انتظار مي رود اين آلياژها خيلي راحت تر به عنوان نيم رساناهاي نوع p آلاييده شوند.

59999