پ.ف.۱۷۶

كار شناسي ا رشد

فيزيك اتمي مولكولي

پيا م نور شيراز

۱۳۹۵-۹۶

۱۳۹۵/۱۱/۱۳

۷۴ص.

قرائتي جهرمي ، عبدالرسول

قناعتيان ، محمد

كتابنامه:ص.۷۲-۷۴

در اين پايان نامه، با استفاده از روش ماتريس انتقال، ضرايب عبور و انعكاس يك بلور فوتوني مغناطيسي محاسبه شده است. در ابتدا بلورهاي فوتوني مغناطيسي با ضخامت ها و ضرايب تراوايي¬هاي مغناطيسي متفاوت با يكديگر مقايسه شده¬اند. سپس با در نظر گرفتن يك بلور فوتوني مغناطيسي بي¬نظم، تغييرات پهناي نوار گاف مورد بررسي قرار گرفته است. دو بي¬نظمي مختلف در اين ساختار در نظر گرفته شده، بي¬نظمي ضخامت و بي¬نظمي تراوايي مغناطيسي . مي¬توان مشاهده كرد كه در هر دو قطبش با افزايش تراوايي مغناطيسي ساختار پهناي نوار گاف افزايش مي¬يابد. اما هنگامي كه بي¬نظمي ضخامت در نظر گرفته مي¬شود نوار گاف با افزايش ضخامت در ابتدا افزايش و سپس كاهش مي¬يابد. در نهايت، بلور فوتوني مغناطيسي در زواياي تابش مختلف مورد بررسي قرار مي¬گيرد. نتايج نشان مي¬دهند پهناي نوار گاف فوتوني با افزايش زاويه¬ي فرودي در قطبش TE افزايش مي¬يابد. كه اين نتيجه در قطبش TM برعكس مي¬باشد.

47263