چكيده
در اين تحقيق ،خواص ترابري الكترون در ساختار هاي وورتسايت نيم رساناهاي 3C-SiC , 6H-SiC در حد ميدانهاي الكتريكي شديد با استفاده از شبيه سازي مونت كارلو بررسي شده است. در اين شبيه سازي سه دره مهم نوار رسانش Г ،U ،K كه به صورت غيرسهموي باسطوح انرژي بيضي گون فرض شدهاندمورد برسي قرار گرفته است. . دراين محاسبات فرايندهاي پراكندگي درنظرگرفته شده؛ شامل پراكندگي ازفونون هاي اپتيكي قطبي, فونون هاي آكوستيكي و پراكندگي ناشي ازناخالصي هاي يونيزه مي باشد. محاسبات نشان مي دهد كه درنيم رساناي 3C-SiC ماكزيمم سرعت سوق ازمرتبه1-ms ١05×28/1، درحد ميدان آستانه Vm-1 ١07×01/2 و درنيم رساناي 6H-SiC ماكزيمم سرعت سوق ازمرتبه1-ms ١05×03/1 درحد ميدان Vm-1 107×99/2است. با توجه به سرعت سوق و ميدان هاي آستانه بالادر اين ساختارها, ممكن است از اين نيمرسانها ها در ساخت قطعات الكترونيكي در دما ها و توان هاي بالا استفاده كرد.
