پ.ف.171

كارشناسي ارشد

فيزيك اتمي

پيام نورشيراز

94-1393

16/04/1394

124ص.

قرائتي ، عبداالرسول

قناعتيان، محمد

121-124

در اين پايان نامه، با استفاده از روش ماتريسي و محاسبه ماتريس عبور، ضرايب عبور و بازتاب به دست آمد. سپس سه ساختار بررسي شد: ساختار اول، بلور فوتوني سه¬لايه¬اي، ساختار دوم، بلور فوتوني مغناطيسي دوره¬اي(بدون نقص) و ساختار سوم بلور فوتوني مغناطيسي متقارن و پادمتقارن با نقص. يافته¬ها نشان مي¬دهد كه در ساختار اول با افزايش پهناي لايه اول، در هر دو قطبش پهناي نوار گاف فوتوني، افزايش مي¬يابد. با افزايش تعداد لايه¬ها و زاويه نور فرودي، نوارهاي گاف به سمت طول موج¬هاي كوتاهتر حركت مي¬كند. نمودارها در هر دو قطبش يكسان است، جز در تغيير زاويه نور. در ساختار دوم، با افزايش تراوايي مغناطيسي و افزايش پهناي لايه دوم، در هر دو قطبش، پهناي نوار گاف وارتفاع لب¬هاي كناري افزايش مي¬يابد و به سمت طول موج¬هاي بزرگتر حركت مي¬كند. با افزايش زاويه، نوار گاف به سمت طول موج¬هاي كوتاهتر حركت مي¬كند و در قطبش TE پهناي نوار گاف تغييري نمي¬كند، اما در قطبش TM پهناي يكي از نوارهاي گاف كاهش مي¬يابد. در دو ساختار ذكر شده، در هر دو قطبش، افزايش تعداد سلول¬هاي واحد تأثيري بر نوارهاي گاف ندارد، اما ارتفاع لب¬هاي كناري افزايش مي¬يابد. در ساختارسوم، با افزايش پهناي لايه نقص، در ساختار متقارن هميشه يك مد نقص كامل مشاهده مي‌شود ولي در ساختار پادمتقارن، گاهي يك مد نقص كامل رويت مي‌شود. در هر دو ساختار متقارن و پادمتقارن، تغيير تعداد سلول¬هاي واحد نشان مي¬دهد كه در حالتي كه تعداد سلول‌هاي طرف چپ و راست با هم برابر باشند، مد نقص به طور كامل مشاهده مي‌شود.

40875