پ.ش.215

كارشناسي ارشد

شيمي فيزيك

پيام نورشيراز

95-1394

01/03/1395

61ص.

فخرايي ، سارا

رضوي زاده ، سيد احمد

كتابنامه :ص.59-61

در اين تحقيق ساختار و توزيع الكتروني نانو لوله (CNT) پس از جايگزيني شش اتم Si به جاي شش اتم كربن در حلقه مياني آن مورد بررسي قرار گرفت. پس از بهينه سازي در سطح تئوري HF/6-31g(d) معلوم شد كه در ساختار جديد (CNT-Si6) شش اتم Si نسبت به اتم هاي كربن با فاصله بيشتري از هم قرار گرفته و در سطح نانولوله يك پيچش ساختاري رخ داده است. تعيين ماهيت پيوند توسط تئوري اتم ها در مولكولها نشان داد كه ماهيت پيوند بين اتمهاي Si از نوع كووالانسي است در حاليكه ماهيت پيوند بين اتم هاي Si و كربنهاي متصل به آنها از نوع جزئي الكترواستاتيك-جزئي كووالانسي مي باشد. همچنين طول پيوند در ساختار جايگزين شده بيشتر از نانولوله اوليه است. پس از جايگزيني اتمهاي Si در ساختار CNT، بر روي دو پيوند Si-Si از حلقه Si6 سه نقطه بحراني مشاهده مي¬شود كه شامل يك نقطه بحراني غير-هسته¬اي ما بين دو نقطه بحراني است. اين نقطه نشان دهنده يك بيشينه محلي در بين دو كمينه دانسيته الكتروني مي¬باشد. اين نقطه خود شاهدي بر افزايش دانسيته الكتروني و بنابراين تقويت پيوندهاي متناظر آن مي باشد. با توجه به بيشتر بودن نتايج خاصل از شكاف انرژي CNT-Si6 نسبت به نانولوله معلوم شد كه جايگزيني شش اتم Si بر روي نانو تيوپ، آن ساختار را به يك نارسانا تبديل مي¬كند. همچنين افزايش مقدار ممان دوقطبي اين ساختار نشان مي¬دهد كه مي¬توان از آن جهت برهم¬كنش با يون¬ها، اتم¬ها و مولكول¬ها استفاده كرد و آن را در صنايع داروئي به عنوان حامل دارو به كار برد. مقايسه كميت¬هاي قابل محاسبه براي دو ساختار مورد مطالعه نشان مي¬دهد كه با جايگزيني شش اتم Si بر روي CNT انرژي يونش و سختي شيميايي به مقدار زيادي افزايش و ميل به جذب الكترون براي اين ساختار كاهش مي¬يابد.

40397