پ.ف.154

كارشناسي ارشد

فيزيك اتمي و مولكولي

پيام نورشيراز

94-1393

05/06/1394

96ص.

قرائتي،عبدالرسول

قناعتيان ، محمد

كتابنامه:ص.94-96

در اين پايان¬نامه بلور فوتوني چند لايه¬اي يك سلول واحد شبكه مربعي دو بعدي كه شامل چند ميله هم¬مركز با ضريب دي¬الكتريك مختلف در يك زمينه مربعي است را در نظر گرفته-ايم. در ابتدا به طور نيمه تحليلي معادله ويژه¬مقداري مد TM و TE براي ساختار بلور فوتوني چند لايه محاسبه كرده و سپس با برنامه كامپيوتري به بررسي نوار گاف ساختارهايي با ضريب شكست¬ها وتعداد لايه¬هاي مختلف مي-پردازيم. اولين ساختار، بلور فوتوني دو بعدي متشكل از چند نانو استوانه هم مركز در شبكه مربعي با استفاده از روش بسط موج تخت است كه ضريب دي¬الكتريك لايه¬ها از لايه مركزي به سمت زمينه در حال كاهش است. دومين ساختار متشكل از چند نانو ميله¬هاي هم مركز در شبكه مربعي كه با وارد كردن نقص در لايه¬ها نوارگاف¬ها مورد بررسي قرار مي¬گيرد. ثابت شبكه براي هر مدل به گونه¬اي انتخاب شده كه نوار گاف در محدوده اپتيكي مشاهده شود. محاسبه نشان مي¬دهد كه هر چه ضريب دي¬الكتريك لايه مركزي¬ بيشتر شود، نوار گاف مد TM نسبت به TE بهتر مي شود وبا افزايش شعاع پهناي نوار گاف كمتر ولي تعداد آنها بيشتر مي-شود. با قرار دادن نقص در اين ساختارها، نوار گاف ايجاد مي¬شود كه با افزايش لايه¬ها پهناي نوار گاف كاهش مي¬يابد. با قرار دادن نقص در لايه¬هاي بيروني¬تر تعداد نوار گاف¬ها بيشتر مي¬شود.

32219