چكيده
تكنولوژي¬هاي پيشرفته در رشد نانوساختار¬ها، سبب توليد سيستمي صفر بعدي به نام نقطه كوانتومي شده است كه الكترون¬ها را در تمام جهات محدود مي¬كند. در اين پايان نامه، ابتدا با استفاده از تقريب جرم مؤثر، مدلي از چاه متناهي را براي توصيفِ نوار گاف وابسته به اندزه¬ي نقاط كوانتومي كروي بكاربرده¬ايم؛ كه كاربردهايي در پردازش اطلاعات و سلول¬هاي فوتو ولتائيك دارد. همچنين به محاسبه اختلال كولني براي نقاط كوانتومي CdS و InN محاسبه كرده-ايم. سپس به تحليل كاربرد نقاط كوانتومي كروي در حوزه اثر اشتارك و همچنين اثر لمب پرداخته¬ايم؛ براي اين منظور از نقاط كوانتوميِ CdSSe و AlGaAs و InGaAs استفاده كرده¬ايم و دريافتيم انتخاب مناسب شعاع نقطه كوانتومي و ميدان الكتريكي نقش مهمي در اعتبار ناحيه محصور شده قوي و انرژي قطبشي دارد. همانطور كه از نمودار¬ها مشخص است، براي شعاع خيلي كوچك، نتايج بسيار دقيق است. در ميان نقاط كوانتومي كروي بحث شده، InGaAs، جابه جايي لمب را به نحو مؤثرتري ارضا كرده و براي كاربردهاي الكتروديناميك كوانتومي مناسبتر است. در انتها و در فصل چهارم، كاربرد نقاط كوانتومي را در سلول¬هاي خورشيدي مورد ارزيابي قرار داده¬ايم و تجزيه و تحليل مقايسه¬اي از تأثير دما روي ميزان تغيير ويژگي¬هاي اصلي سلول¬هاي خورشيدي با استفاده از نقاط كوانتومي ZnSe، InN،CdSe ،CdTe ،GaAs و Ge در لايه فعال سلول ارائه داده¬ايم. در اين فصل ثابت شده است كه نقاط كوانتومي ,GaAs InN و ZnSe پايداري خواص سلول خورشيدي را بهبود مي¬بخشند. يافته¬هاي نظري اين كار تحقيقي مي¬تواند يك ورودي براي محققان باشد تا بعد از اعتبار سنجي تجربي، نقاط كوانتومي نامبرده را در سلول خورشيدي استفاده كنند.
