-
شماره راهنما
پ .ف .55
-
پديد آورنده
حق پرست ، مريم
-
نويسنده
مريم حق پرست
-
عنوان
مطالعه خواص ترابري در نانو ساختارها
-
مقطع تحصيلي
كارشناسي ارشد
-
رشته تحصيلي
فيزيك
-
محل تحصيل
دانشگاه پيام نور شيراز , 1
-
سال تحصيل
1388
-
مشخصات ظاهري
92ص
-
نوع انتشار
چاپي
-
استاد راهنما
رضا خرداد
-
استاد مشاور
عبدالرسول قرائتي
-
كتابنامه
كتابنامه
-
توصيفگر فارسي
خواص ترابري,نانو ساختارها
-
شناسه هاي افزوده
ع
-
چكيده
در اين تحقيق ، ابتدا نانوتكنولوژي را تعريف كرده و كاربردهاي آن را ذكر مي كنيم .پس از آن ، انواع نانوساختارها مانند سيم كوانتومي و نقطه كوانتومي را مورد بررسي قرار مي دهيم .همان گونه كه مي دانيم خواص ترابري نانوساختارها از اهميت ويژه اي در فيزيك حالت جامد برخوردار است .بدين سبب ، پس از آشنايي با انواع نانوساختارها، سعي مي كنيم خواص ترابري آنها مانند رسانندگي الكتريكي را مورد مطالعه قرار مي دهيم .يكي از روش هاي مطالعه خواص ترابري نانوساختارها، استفاده از معادله انتقالي بولتزمن مي باشد .بنابراين ، ابتدا اين معادله را با كمك مفهوم تابع توزيع براي يك سيستم فيزيكي استخراج مي كنيم .سپس ، آن را براي محاسبه رسانندگي الكتريكي يك نانو سيم استوانه اي بلند به كار مي بريم .لازم به ذكر است كه رسانندگي الكتريكي را در دو حالت ، در حضور ميدان مغناطيسي و بدون ميدان مغناطيسي به دست مي آوريم و با نتايج قابل دسترس مقايسه مي كنيم .سرانجام ، با كمك معادله شرودينگر، ترابري الكترون ها در يك نانوساختار را مورد مطالعه قرار مي دهيم .براي اين هدف ، قطبش پذيري يك سيم كوانتومي -V شكل را در حضور ميدان الكتريكي و يك ناخالصي هيدروژن گونه محاسبه كرده و نتايج آن را گزارش مي كنيم
-
تاريخ نمايه سازي
9831/30/10
-
شماره مدرك
322پ
-
اطلاعات ثبت
1
-
شماره ركورد
320
-
لينک به اين مدرک :