پ.م.131

كارشناسي ارشد

فيزيك حالت جامد

دانشگاه پيام نور شيراز

1393

10/02/1393

ص.139

محمدجواد كريمي

عبدالرسول قرئتي

كتابنامه :ص.138-139

استاد راهنما كريمي،محمدجواد , استاد مشاور قرائتي،عبدالرسول

بيشتر خواص اپتوالكترونيكي مواد نيم¬رسانا از قبيل جرم موثر الكترون و حفره، چگالي حالات نوار رسانش و ظرفيت و شكاف نواري در نظريه نواري جامدات نهفته شده است. بنابراين محاسبه ساختار نواري نيم¬رساناها در فيزيك حالت جامد از اهميت زيادي برخوردار است و در نتيجه نقش اساسي در پيشرفت ساخت ادوات الكترونيكي و و اپتوالكترونيكي دارد.امروزه روش¬هاي مختلفي براي تعيين ساختار نواري وجود دارد. اين روش¬ها عبارتند از: روش شبه¬پتانسيل، روش موج تخت متعامد شده، روش موج تخت بهساخته، روش تابع گرين، روش بستگي قوي، روش k ⃗.p ⃗ و غيره. نظريه اختلالي k ⃗.p ⃗يك طرح تقريبي براي محاسبه ساختار نواري و خواص نوري جامدات بلورين است. اين روش نه تنها براي توصيف نيم¬رساناهاي سهبعدي، بلكه براي نيم¬رساناهايي با ابعاد كمتر از قبيل چاه، سيم و نقطه كوانتومي مورد استفاده قرار مي¬گيرد. در اين رساله مدل¬هايk ⃗.p ⃗4×4و سپس 8×8 معرفي شده¬اند و ساختار نواري GaAs كپه¬اي بوسيله آن¬ها به دست آمده است. مقايسه نتايج روش k ⃗.p ⃗ ، با نتايج روش بستگي قوي همخواني خوبي را نشان مي¬دهد. همچنين در اين كار از روش k ⃗.p ⃗ براي تعيين ساختار الكترونيكي يك چاه كوانتومي استفاده شده است و نوارهاي حفره سبك و سنگين چاه كوانتومي GaAs/AlxGa1-xAs به دست آمده¬اند.

22745