-
شماره راهنما
7880
-
پديد آورنده
شيرزادي مرگاوي، منصوره
-
نويسنده
منصوره شيرزادي مرگاوي
-
عنوان
بررسي خواص الكتروني تك لايه MoS2 با روش تابع چگالي
-
مقطع تحصيلي
كارشناسي ارشد
-
رشته تحصيلي
فيزيك گرايش حالت جامد
-
محل تحصيل
پيام نور , كتابخانه مركزي دانشگاه پيام نور
-
سال تحصيل
1392
-
مشخصات ظاهري
64ص
-
استاد راهنما
صبوري دودران ، اميرعباس
-
كتابنامه
63-62ص
-
توصيفگر فارسي
ساختار الكتروني ، تك لايه دي سولفيد موليبدن ، تابع چگالي
-
شناسه هاي افزوده
پ شيرزادي مرگاوي، منصوره , ع
-
چكيده
در اين تحقيق ، ساختار تك لايه MOS2 به دليل وجود اوربيتال نيمه پرd در اتم موليبدن ، سيستم را هم بصورت همبسته قوي و هم بصورت معمول محاسبه مي كنيم .با انجام محاسبات بصورت تقريب هاي معمول در نظريه ي تابعي چگالي از قبيل تقريب هاي و مشاهده مي شود كه نتايج بدست آمده در توافق خوبي با تقريب مي باشد .جديد بودن اين تحقيق در مقايسه با پژوهش هاي پيشين در اين موضوع است كه ما همه ي محاسبات الكتروني را انجام داده و تغييرات جفت شدگي اسپين - اوربيتال را نيز لحاظ مي كنيم .حداكثر نوار ظرفيت و حداقل نوار رسانش بر روي ناحيه ي بريلوئن مورد بررسي قرار مي گيرد. ما با استفاده از همه ي محاسبات الكتروني ، گذار غير مستقيم شكاف نواري در يك لايه ي S-MO-S را مورد تÊييد قرار مي دهيم .و چگالي پيش بيني شده براي حالت هاي)PDOS( را در يك MOS2 منفرد محاسبه مي كنيم
-
مندرجات
فصل اول : تاريخچه پيدايش ساختار 2SoM و كاربردهاي آن . فصل دوم : مباني نظري و پيشينه ي تحقيق . فصل سوم : نظريه تابعي چگالي و مدل هابارد. فصل چهارم : محاسبات و نتايج . فصل پنجم : خلاصه نتايج و پيشنهادات
-
تاريخ نمايه سازي
2931/70/22
-
شماره مدرك
7880پ
-
اطلاعات ثبت
1
-
شماره ركورد
21721
-
لينک به اين مدرک :