7363

مرضيه صابري

كارشناسي ارشد

فيزيك گرايش حالت جامد

پيام نور , كتابخانه مركزي دانشگاه پيام نور

1391

117ص

كنجوري، فرامرز

شكري، علي اصغر

117-112ص

پ صابري، مرضيه , ع

نيمه رساناهاي )Mg2Si, Mg2Ge(نقش مهمي در تكنولوژي دارند .با استفاده از پارامترهاي كشساني بلور، اطلاعات ارزشمندي در مورد پيوند اتمي و پايداري ساختار مي توان به دست آورد .در اين پايان نامه خواص الكتريكي و مكانيكي تركيبات )Mg2Si, Mg2Ge( با استفاده از نظريه ي تابعي چگالي ، مورد مطالعه قرار گرفته است .پارامتر بهينه ي شبكه و ثابت هاي كشساني مستقل ، با استفاده از كد نرم افزاري WIEN2k و تقريب شيب تعميم يافته به دست آمده است .براي بررسي خواص ساختاري و الكتروني تركيبات )Mg2Si, Mg2Ge( چگالي حالت هاي كلي و جزيي و همچنين ساختار نواري اين تركيبات در تقريب هاي GGA و MBJ بررسي شدند .در تقريب GGA گاف انرژي براي Mg2Si و Mg2Ge به ترتيب برابر با 26 و 143 الكترون - ولت و در تقريب MBJ به ترتيب 53 و 58 الكترون - ولت به دست آمد .آناليز ساختار نواري و چگالي حالت صهاي كلي و جزئي نشان داد كه تركيبات Mg2Si و Mg2Ge نيمه صرسانا با گاف نواري غير مستقيم هستند .محاسبات نظري براي برآورد خواص كشساني اين تركيبات انجام شده است و ثابت هاي شبكه ي به دست آمده ، تطابق خوبي با مقادير محاسبه شده ي ديگران دارد .براي محاسبه ي مدول حجمي ، مدول برشي ، مدول يانگ و ضريب پواسون ، از تقريب Hill -Reuss- Voightاستفاده شده است .پارامتر ناهمسانگرد زينر و رفتار مفتول شدگي /شكنندگي اين تركيبات نيز بررسي شد .نتايج حاكي از همسانگردي اين تركيبات است هرچند مقادير پارامتر زينر براي اين تركيبات نشان مي دهد كه تركيب Mg2Ge نسبت به Mg2Si همسانگردتر است .سرعت هاي تراكمي ، حجمي ، برشي و ميانگين سرعت موج و نيز دماي دباي اين تركيبات محاسبه شده اند

فصل اول : مروري بر منابع. فصل دوم : نظريه ي تابعي چگالي . فصل سوم : بررسي خواص ساختاري و الكتروني تركيبات iS2gM و .eG2gM فصل چهارم : نظريه ي الاستيسيته و خواص مكانيكي . فصل پنجم : جمعبندي و پيشنهادها

2931/30/40

7363پ

1

21204