7203

سمانه خباز

كارشناسي ارشد

فيزيك حالت جامد

پيام نور , كتابخانه مركزي دانشگاه پيام نور

1391

72ص

شكري، علي اصغر

71-70ص

پ خباز، سمانه , ع

در اين كار ما به مطالعه خواص ترابرد الكتريكي وابسته به اسپين در يك سه لايه اي مغناطيسي مي پردازيم .اتصالات تونلي )MTJ(بعلت داشتن ويژگي هاي منحصربه فرد ازجمله مقاومت مغناطيسي )TMR(بالا مورد توجه قرار گرفته اند .ساختار مورد بررسي به طور خاص Fe-MgO- Fe مي باشد كه به واسطه وجود Fe بعنوان يك فرومغناطيس شاهد تغيير در انرژي الكتروستاتيكي ساختار باتغيير در حالتهاي اسپيني اتم هاي مجاور بوسيله كوپل شدن حالت هاي فلزي به نوارهاي موهومي 1 و5 درحالت هاي موازي و پادموازي خواهيم بودMgO . نيز يك عايق بلوري است كه به عنوان يك فيلتر متقارن در ساختار بكار مي رودÝ اين ساختاربه دليل كاربردهاي پتانسيل در حافظه هاي مغناطيسي تصادفي )MRAM( و حسگرهاي ميدان مغناطيسي بسيار مفيد است و مي تواند در طراحي ادوات اسپينترونيكي مورد كاربرد قرارگيردÝ در عمل اين مزيت تحت عنوان مقاومت تونلي تعريف مي شود .از آن جا كه شرط لازم براي ايجاد ترابرد در يك ماده آشفتگي در تابع توزيع آن است ، خواص ترابرد الكتريكي را به روش كوانتومي با رهيافت تابع گرين غيرتعادلي بررسي مي كنيم .عدم تعادل در ساختار فوق ناشي از اعمال ولتاژ، تغيير ضخامت طولي قطعه و اعمال گراديان هاي دمايي مي باشد .در ابتدا در چارچوب بستگي قوي ساختار را در نظر گرفتيم Ý از آن جا كه بين مقادير پيش بيني شده در روش هاي بس ذره اي و روش هاي تجربي تنگ بست اختلاف وجود دارد، ساختار فوق را به روش KKR (كورينگاكان -روستوكر)، نيز بررسي كرده و و وابستگي مقاومت مغناطيسي تونلي به ولتاژ و ضخامت سد را مطالعه كرده ايم

فصل اول : مروري بر ميكروالكترونيك ، نانوالكترونيك و اسپينترونيك . فصل دوم : ترابرد الكتريكي در نانوساختارها. فصل سوم : ترابرد وابسته به اسپين در سه لايه اي مغناطيسي .eF -OgM-eF فصل چهارم : مقاومت مغناطيسي تونلي در سه لايه اي مغناطيسي .eF -OgM- eF فصل پنجم : نتيجه گيري و ارائه پيشنهادات

2931/20/70

7203پ

1

21044