پ.د.ف.۵

دكتراي تخصصي

فيزيك

پيا م نور شيراز

۱۳۹۷-۹۸

۱۳۹۷/۱۰/۲۵

۱۶۳ص.

رازقي زاده ، عليرضا و قرائتي، عبدالرسول

كتابنامه :ص.۱۵۹-۱۶۳

در ايـن رســاله ابتـدا كــار بــا محـاسبه تـابع دي¬الكتريك دينــاميـكي يـك نــانـو لايـه نـــاهمگون GaAlAs/GaAs/GaAlAs در تقريب RPA (تقريب فازهاي تصادفي) آغاز مي¬شود. سپس با وارد نمودن اثرات حفره تبادلي- همبستگي توسط تقريب¬هاي تصحيح ميداني همچون هابارد، هابارد دمايي و STLS در مسئله، نتايج بهبود يافته و به نتايج تجربي نزديك مي¬شود. همچنين اثرات ساختار با استفاده از پارامترهاي تابع ساختار محاسبه شد. در ادامه خودانرژي الكتروني وابسته به دما يك تك لايه و يك دولايه¬اي جفت شده، با استفاده از تقريب¬ GW محاسبه شد. آهنگ پراكندگي كشساني كولني با استفاده از محاسبه قسمت موهومي تابع خودانرژي الكتروني وابسته به دما محاسبه شده و اثر هندسه نانولايه¬ها براي يك دولايه¬اي جفت شده بروي آن مطالعه شد. همچنين با محاسبه قسمت حقيقي تابع خودانرژي الكتروني، اثر دما و هندسه بر جرم مؤثر يك تك لايه مورد ارزيابي قرار گرفته شد. در پايان نتايج نشان داد، اثر جدايي لايه¬ها بر نرخ پراكندگي با افزايش دما افزايش مي¬يـابد. همچنين اثر جدايي لايه¬ها به صورت جزيي با انرژي الكتروني تغيير مي¬كند. با اين وجود، در انرژي¬هاي پايين اين اثر قوي¬تر است. بايد توجه داشت اين اثر در حد چگالي بالاي الكتروني ضعيف بوده و با كاهش چگالي افزايش مي¬يابد. در بخش نتايج مربوط به جرم مؤثر نيز نتايج نشان مي¬دهد كه با افزايش دما مقدار جرم مؤثر در تمام ضخامت¬ها به صورت حدي به¬يكديگر نزديك مي¬شوند. همچنين در تقريب هابارد، هابارد دمايي و RPA كه اثرات همبستگي در نظر گرفته نمي¬شوند، با افزايش ضخامت مقدار برآورد شده براي جرم مؤثر در تمام دماها كاهش مي¬يابد، اما در تقريب STLS كه اثرات همبستگي به¬طور جدي وارد مسئله مي¬شود، اين رفتار كاملاً برعكس مي¬شود.

50701