1935پ

Phosphorene electronics band structure an​d determination of its elastic properties with phonon dispersion

كارشناسي ارشد

فيزيك حالت جامد

دانشگاه پيام نور مشهد

1395

91ص.

پيله ور شهري ، راحله - بديعيان باغ سياهي ، فاطمه

بنام ، محمدرضا

79-82

اين پايان نامه به خواص الكتروني، فونوني و مكانيكي فسفرن در حالت تك لايه، دولايه، سه لايه و انبوهه، با استفاده از نظرية تابعي چگالي، تقريب شيب تعميم يافته و استفاده از شبه پتانسيل پرداخته است. نمودار ساختار نواري و چگالي حالت‌هاي فسفرن نمايان‌گر اين بود كه فسفرن در حالت‌هاي تك لايه، دو لايه، سه لايه و انبوهه به ترتيب گاف انرژي 8/0، 51/0، 32/0و 25/0 الكترون ولت دارد. بررسي ساختار نواري نشان داد كه اين مواد جزو خانواده نيم‌رساناهاي گاف مستقيم هستند و اندازه گاف انرژي با افزايش تعداد لايه ها كاهش مي‌يابد. نمودار پراكندگي فونوني چند لايه‌هاي فسفرن نيز رسم شد و مقادير ثابت‌هاي كشساني به كمك شيب شاخه‌هاي آكوستيكي نمودار پراكندگي در راستاهاي تقارني نيز محاسبه گرديد و به ترتيب براي تك لايه مقادير 55C_11=، 87 C_66= و 119-C_12= ، براي دولايه مقادير51‌=C_11, 83‌=C_66 و 115-=C_12 و براي حالت انبوهه مقادير 48=C_11, 81=C_66 و 114 -=C_12 گيگا پاسكال بدست آمد. همچنين مقدار مدول يانگ نيز در حالت‌هاي تك لايه، دولايه و انبوهه به ترتيب به اندازه 49، 46 و 44 گيگا پاسكال محاسبه شد كه با نتايج كارهاي انجام شده سايرين تطابق خوبي داشت.

1396/9/29

44269