-
شماره راهنما
1315پ
-
پديد آورنده
موسوي ، سيد جابر
-
عنوان
بررسي جريان عبوري از يك ترانزيستور اثر ميدان بر پايه نانو لوله ي كربني
-
عنوان به انگليسي
Study of the current of FET(field effect transistor) in the base of nanotube
-
مقطع تحصيلي
كارشناسي ارشد
-
رشته تحصيلي
فيزيك (حالت جامد)
-
محل تحصيل
دانشگاه پيام نور اهواز
-
سال تحصيل
1394
-
تاريخ دفاع
1394/12/19
-
وضعيت پايان نامه
بسيارخوب
-
مشخصات ظاهري
123ص.
-
استاد راهنما
معرفي رميله ، محمد
-
استاد مشاور
رازقي زاده ، عليرضا
-
كتابنامه
99-100
-
توصيفگر فارسي
نانولوله ي كربني، ترانزيستور اثر ميداني، مدل ثابت نيرو ، تحرك پذيري الكترون
-
توصيفگر لاتين
CNT, CNTFET, Force Constant Model, Mobility
-
چكيده
پس از كشف نانولوله هاي كربني توسط ايجيما و همكارانش بررسي هاي بسيار زيادي بر روي اين ساختارها در ساير علوم انجام شده است. اين ساختارها به دليل خواص منحصر به فرد مكانيكي و الكتريكي كه از خود نشان داده اند جايگزين مناسبي براي سيليكون و تركيبات آن در قطعات الكترونيكي خواهند شد. در اينجا به بررسي خواص الكتريكي نانولوله هاي كربني زيگزاگ كه به عنوان يك كانال بين چشمه و دررو قرار داده شده پرداخته ايم و نحوه ي توزيع جريان در ترانزيستورهاي اثر ميداني را در شرايط دمايي و ميدان هاي مختلف بررسي كرده ايم. از آنجايي كه سرعت خاموش و روشن شدن ترانزيستور براي ما در قطعات الكترونيكي و پردازنده¬هاي كامپيوتري از اهميت ويژه اي برخوردار است، انتخاب نانولوله اي كه تحرك پذيري بالايي داشته باشد بسيار مهم است. نتايج بررسيها نشان ميدهد تحرك پذيري الكترون در نانولوله هاي كربني متفاوت به ازاي ميدانهاي مختلفي كه در طول نانولوله ها اعمال شود، مقدار بيشينه اي خواهد شد. بنا بر اين در طراحي ترانزيستورها با توجه به مشخصه هاي هندسي ترانزيستور و اختلاف پتانسيلي كه بين چشمه و دررو آن اعمال ميشود بايد نانولوله اي را انتخاب كرد كه تحرك پذيري مناسبي داشته باشد.
-
تاريخ نمايه سازي
1396/5/22
-
شماره ركورد
41934
-
لينک به اين مدرک :